{"id":1466,"date":"2022-05-15T05:50:57","date_gmt":"2022-05-15T05:50:57","guid":{"rendered":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/?p=1466"},"modified":"2025-01-29T04:05:25","modified_gmt":"2025-01-29T04:05:25","slug":"perbedaan-bjt-dan-mosfet","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/perbedaan-bjt-dan-mosfet\/","title":{"rendered":"Perbedaan BJT dan MOSFET"},"content":{"rendered":"\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Perbedaan BJT dan MOSFET adalah materi yang menarik untuk dipelajari sebelum kalian menentukan yang mana yang lebih baik.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\"><a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/transistor-fungsi-transistor-dan-cara-mengukur-transistor\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Transistor<\/a> adalah salah satu jenis semikonduktor. BJT dan MOSFET adalah perangkat semikonduktor elektronik yang memberikan perubahan besar pada sinyal listrik keluaran dengan variasi kecil pada sinyal input.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Transistor ini dapat dimanfaatkan sebagai saklar atau sebagai amplifier (penguat) karena karakteristik ini. Transistor pertama diperkenalkan pada tahun 1950, dan dianggap sebagai salah satu temuan paling penting pada abad dua puluh.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Teknologi ini berkembang dengan cepat, dan beberapa jenis transistor sudah diperkenalkan. BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah jenis transistor asli, dan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field) adalah jenis transistor setelahnya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pada kali ini kita akan belajar tentang perbedaan BJT dan MOSFET secara mendasar untuk pemahaman yang lebih baik.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Baik transistor BJT dan MOSFET keduanya efektif sebagai amplifier dan pensaklaran. Meski demikian, mereka memiliki sifat yang jauh berbeda.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Apa itu BJT<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah perangkat semikonduktor yang sebagian besar telah menggantikan tabung vakum. Perangkat ini adalah perangkat yang dikontrol arus, berarti keluaran kolektor (collector) dan emitor (emitter) adalah sebuah fungsi dari arus basis (base).<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Sebuah mode operasi transistor BJT pada dasarnya dipengaruhi arus pada base. Emitor (E), kolektor (C), dan basis (B) adalah tiga terminal pada transistor BJT.<\/span><\/p>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1468\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-1.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"370\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-1.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-1-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT sebenarnya adalah bagian silikon tiga daerah. P dan N adalah dua persimpangan jalan yang mana tiap daerah memiliki nama berbeda.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Transistor NPN dan transistor PNP adalah dua jenis BJT.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pembawa muatan (charge carrier) pada kedua jenis memiliki perbedaan; NPN memiliki lubang sebagai prinsip pembawanya, sedangkan PNP memuat elektron.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Prinsip kerja pada dua jenis transistor BJT, PNP dan NPN, cukup identik; perbedaannya hanya pada bias dan polaritas catu daya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Banyak orang memilih BJT untuk aplikasi arus lemah, seperti pensaklaran, karena mereka jauh lebih murah.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Bagaimana Cara Kerja BJT<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ide dari fungsi BJT adalah mengatur aliran arus melalui terminal kolektor menggunakan tegangan antara dua terminal, seperti basis dan emitor.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Konfigurasi common emitter, contohnya, dapat dilihat pada diagram di bawah.<\/span><\/p>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1469\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-2.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"370\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-2.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-2-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Arus yang memasuki terminal basis dipengaruhi oleh perubahan tegangan, dan arus ini, secara bergantian, mempengaruhi arus keluaran yang disebut.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Hal ini menunjukkan bahwa arus input meregulasi aliran arus keluaran.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Hasilnya, transistor ini adalah rangkaian terkendali arus.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Apa itu MOSFET<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) atau transistor MOS merupakan perangkat terkendali tegangan. Tidak ada arus basis pada transistor ini, tidak seperti BJT.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Tegangan pada Gate, di sisi lain, menghasilkan sebuah medan. Hal ini membuat arus untuk mengalir dari source ke drain. Tegangan pada gate dapat choke off atau membuka aliran arus.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Tegangan pada elektroda gate oksida terisolasi dapat memberikan ruangan untuk konduksi antara dua kontak \u201csource\u201d dan \u201cdrain\u201d dalam transistor ini.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET memiliki kelebihan yaitu lebih efisien dalam mengatur daya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET sebagian besar menggantikan penggunaan BJT yang sempat dominan, terutama untuk transistor pada <a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/digital-i-o-analog-i-o\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">rangkaian digital dan analog<\/a>.<\/span><\/p>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1470\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-3.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"371\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-3.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-3-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Transistor ini hadir dengan empat jenis:<\/span><\/p>\n<ul style=\"text-align: justify;\">\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">P-channel<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">N-channel<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Enhancement mode (mode peningkatan)<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Depletion mode (mode penipisan)<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1471\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-4.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"371\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-4.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-4-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Untuk MOSFET N-channel, sama seperti MOSFET P-channel, terminal source dan drain dibuat dari semikonduktor tipe N. sebuah oksida metal digunakan untuk memisahkan terminal gate dari terminal source dan drain.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Isolasi ini adalah poin lebih dalam transistor ini karena menghasilkan konsumsi daya yang rendah. Hasilnya, channel p dan n MOSFET digunakan sebagai penyusun rangkaian digital CMOS untuk mengurangi konsumsi daya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Enhancement mode dan depletion mode pada MOSFET adalah dua jenis MOSFET yang ada.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Depletion mode: channel menunjukkan konduktansi maksimum ketika tegangan pada terminal gate (G) rendah. Konduktivitas channel berkurang ketika tegangan pada terminal G positif atau negatif.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Enhancement mode: perangkat tidak konduksi ketika tegangan pada terminal G rendah. Konduktivitas perangkat ini meningkat saat tegangan yang diberikan ke terminal gate semakin tinggi.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Bagaimana Cara Kerja MOSFET<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOS (metal oxide semiconductor), yang mana merupakan komponen penting pada MOSFET, bertanggung jawab untuk operasinya. Lapisan oksida ada di antara terminal source dan drain.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Kita dapat berubah antara tipe-p ke tipe-n dengan memberikan tegangan gate +Ve atau -Ve.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ketika sebuah tegangan +Ve diberikan ke terminal gate, lubang di bawah lapisan oksida didorong ke bawah melalui substrat dengan gaya repulsif.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Muatan -Ve terhubung dengan penerima atom yang ada di zona depletion.<\/span><\/p>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1472\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-5.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"370\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-5.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-5-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Perbedaan BJT dan MOSFET yang Umum<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pada tabel di bawah, perbedaan BJT dan MOSFET dapat diamati. Sebagai hasilnya, persamaan antara BJT dan MOSFET dapat diamati lebih jauh.<\/span><\/p>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter size-full wp-image-1473\" src=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-6.jpg\" alt=\"perbedaan bjt dan mosfet\" width=\"624\" height=\"370\" srcset=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-6.jpg 624w, https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-content\/uploads\/sites\/2\/2022\/05\/bjt-vs-mosfet-6-300x178.jpg 300w\" sizes=\"auto, (max-width: 624px) 100vw, 624px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Jenis<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : PNP atau NPN, transistor bipolar<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : tipe N atau tipe P, transistor unipolar<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Terminal<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : basis (base), emitor (emitter), kolektor (collector)<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : gate, source, drain<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Kontrol<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : terkontrol arus<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : terkontrol tegangan<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Koefisien temperatur<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : negatif<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : positif<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Biaya<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : lebih murah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : lebih mahal<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Pelepasan elektrostatik<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : tidak menyebabkan masalah apapun<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : dapat menyebabkan masalah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Penguatan<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : penguatan arus rendah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : penguatan arus tinggi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Stabilitas<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : tidak stabil, penguatan dapat berkurang dengan meningkatkan arus kolektor, penguatan dapat ditingkatkan dengan meningkatkan temperatur.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : stabil untuk perubahan arus drain<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Resistansi input<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : rendah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : tinggi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Arus input<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : mikroampere hingga milliampere<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : picoampere<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Impedansi input<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : rendah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : tinggi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Kecepatan pensaklaran<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : lebih lambat<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : lebih cepat<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Frekuensi pensaklaran<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : rendah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : tinggi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Respon frekuensi<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : inferior<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : superior<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Drop potensial<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : drop VCE sekitar 200 mV ketika saturasi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : drop VSD sekitar 20 mV ketika saturasi<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"text-decoration: underline;\"><b>Aplikasi<\/b><\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT : aplikasi arus rendah<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET : aplikasi arus tinggi<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>BJT dan MOSFET : Apa saja Perbedaannya?<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Di bawah ini adalah perbedaan BJT dan MOSFET yang mendasar.<\/span><\/p>\n<ul>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Bipolar junction transistor lebih dikenal dengan BJT, sedangkan metal oxide semiconductor field effect transistor lebih dikenal dengan MOSFET.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Basis, emitor, dan kolektor adalah tiga terminal sebuah BJT, sedangkan source, drain, dan gate adalah tiga terminal pada MOSFET.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET digunakan untuk aplikasi daya tinggi, sedangkan BJT digunakan untuk aplikasi arus rendah.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET lebih banyak digunakan daripada BJT dalam rangkaian digital dan analog akhir-akhir ini.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Arus pada terminal basis menentukan operasi pada BJT, sedangkan tegangan pada oxide insulated gate electrode (elektroda gate oksida terisolasi) menentukan operasi pada MOSFET.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT adalah perangkat terkendali arus, sedangkan MOSFET adalah perangkat terkendali tegangan.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pada sebagian besar situasi, MOSFET lebih banyak dipilih.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET memiliki konstruksi yang lebih rumit dari BJT.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>BJT dan MOSFET : Mana yang Lebih Baik?<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Baik BJT dan MOSFET memiliki kelebihan dan kekurangan masing-masing. Bagaimanapun, karena hal ini merupakan hal yang subjektif, kita tidak bisa menentukan mana yang lebih baik antara BJT dan MOSFET.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Bagaimanapun, ada beberapa hal untuk dipertimbangkan sebelum memilih BJT atau MOSFET, seperti jumlah daya, efisiensi, tegangan saklar, harga, kecepatan pensaklaran, dan lainnya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET umumnya digunakan dalam catu daya karena operasinya lebih cepat dari BJT karena menggunakan metal oxide. BJT bergantung pada pasangan elektron-lubang pada kasus ini.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena MOSFET memiliki kecepatan pensaklaran yang cepat, mereka bekerja dengan daya rendah ketika berhubungan dengan frekuensi tinggi, dan mereka unggul melalui grid oxide controlled field effect daripada kombinasi lubang dan elektron seperti BJT.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Kontrol gate pada MOSFET cukup mudah.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ada beberapa hal yang mendasari ini.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><b>Rugi-Rugi Konduksi Berkurang<\/b><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT memiliki drop tegangan konstan saat saturasi sebesar 0.7 V, dimana sebuah MOSFET hanya memiliki resistansi ON 0.001 ohm, yang mana memiliki rugi daya yang rendah.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><b>Impedansi Input Lebih Tinggi<\/b><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Untuk mengoperasikan arus kolektor yang tinggi, BJT memanfaatkan arus base yang rendah. Mereka juga bekerja sebagai penguat arus.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET adalah adalah perangkat terkontrol tegangan yang hampir tidak memiliki arus gate.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena penguatan daya pada BJT adalah menengah hingga rendah, arus base tinggi dibutuhkan untuk menghasilkan arus tinggi, gate bekerja sebagai <a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/jenis-kapasitor-fungsi-dan-simbol\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">kapasitor<\/a>, yang mana adalah suatu kelebihan dalam aplikasi pensaklaran dan arus tinggi.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ketika dibandingkan dengan BJT, MOSFET hanya membutuhkan seperlima tempat. Operasi pada BJT lebih rumit dari MOSFET.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Hasilnya, FET lebih mudah dibangun dan dimanfaatkan sebagai elemen pasif daripada sebuah penguat.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>BJT dan MOSFET : Apakah MOSFET Lebih Baik?<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ada banyak keunggulan dalam menggunakan MOSFET daripada BJT, seperti di bawah.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena mayoritas pembawa muatan dalam MOSFET membawa arus, ini membuatnya lebih sensitif dari BJT.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Hasilnya, ketika dibandingkan dengan BJT, perangkat ini aktif cukup cepat. Hasilnya, perangkat ini banyak digunakan sebagai saklar pada SMPS.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Arus kolektor pada MOSFET tidak banyak berubah, dimana arus kolektor pada BJT berubah sesuai fluktuasi temperatur, tegangan basis transmitter, dan penguatan arus.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Bagaimanapun, karena MOSFET sebagian besar merupakan pembawa muatan, perubahan signifikan tidak diamati.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Impedansi input MOSFET cukup tinggi, dalam megaohm, dimana impedansi input BJT dalam kiloohm.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Hasilnya, konstruksi MOSFET lebih ideal untuk rangkaian penguat.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET memiliki tingkat noise yang lebih rendah dari BJT. dalam kasus ini, noise merupakan gangguan sinyal yang acak. Ketika transistor digunakan untuk meningkatkan sinyal, proses internal pada transistor memicu gangguan ini.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jika dibandingkan dengan MOSFET, BJT umumnya memberikan jauh lebih banyak sinyal noise.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Sebagai hasilnya, MOSFET lebih bagus untuk pemrosesan sinyal dengan tidak adanya penguatan tegangan.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jika dibandingkan dengan BJT, MOSFET jauh lebih kecil. Hasilnya, mereka dapat dipasang di tempat yang lebih kecil.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET dipasang dalam komputer dan chip prosesor untuk alasan ini. Dibandingkan dengan BJT, MOSFET memiliki desain yang sangat sederhana.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>BJT dan MOSFET : Koefisien Temperatur<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Koefisien temperatur pada MOSFET adalah positif untuk resistansi, membuat <a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/rangkaian-paralel-pengertian-rumus-gambar-dan-contoh-soal\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">operasi paralel<\/a> MOSFET sangat sederhana.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ketika MOSFET mengalirkan arus yang dikuatkan, hal itu menyebabkan panas, meningkatkan resistansinya, dan membuat arus dapat mengalir ke perangkat lain dalam paralel.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena koefisien temperatur BJT adalah negatif, <a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/penjelasan-jenis-resistor-dan-fungsinya\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">resistor<\/a> dibutuhkan untuk seluruh proses paralel.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena koefisien temperatur MOSFET adalah positif, breakdown sekunder tidak muncul.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT, di sisi lain, memiliki koefisien negatif, sehingga menyebabkan breakdown sekunder.<\/span><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>BJT : Kelebihan dan Kekurangan<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Berikut adalah beberapa kelebihan BJT dibandingkan MOSFET.<\/span><\/p>\n<ul style=\"text-align: justify;\">\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ketika dibandingkan dengan MOSFET, BJT bekerja lebih baik dalam keadaan beban tinggi dan frekuensi lebih tinggi.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ketika dibandingkan dengan MOSFET, BJT memiliki ketepatan dan penguatan yang lebih baik pada area yang linear.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena kapasitansi rendah pada pin kontrol, BJT jauh lebih cepat dari MOSFET. Bagaimanapun, MOSFET lebih tahan panas dan dapat digunakan untuk menyamai resistansi yang cukup.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT ideal untuk aplikasi tegangan rendah dan daya rendah.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Berikut adalah kekurangan BJT<\/span><\/p>\n<ul>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Radiasi berefek padanya.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Menghasilkan noise lebih tinggi.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Kurang stabil secara suhu.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Kontrol basis BJT cukup rumit.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Frekuensi pensaklaran biasa saja, dan regulasi sulit.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jika dibandingkan dengan tegangan dan arus dengan frekuensi bolak balik yang tinggi, waktu pensaklaran BJT cukup singkat.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>MOSFET : Kelebihan dan Kekurangan<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Berikut adalah beberapa kelebihan MOSFET.<\/span><\/p>\n<ul style=\"text-align: justify;\">\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Ukuran lebih kecil<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pembuatannya cukup sederhana.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Dibandingkan dengan JFET, impedansi input besar.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Cocok untuk operasi kecepatan tinggi.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena konsumsi daya rendah, tiap chip dapat memiliki komponen lebih banyak di luar area.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Dalam rangkaian digital, MOSFET tipe enhancement digunakan.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Karena tidak adanya dioda gate, dapat dioperasikan dengan tegangan positif daripada tegangan negatif gate.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jika dibandingkan dengan JFET, MOSFET lebih banyak digunakan.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Resistansi drain MOSFET tinggi karena resistansi channel rendah.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Berikut adalah kekurangan MOSFET.<\/span><\/p>\n<ul>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET memiliki umur pendek.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Untuk pengukuran yang akurat, kalibrasi berkala dibutuhkan,<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Mereka umumnya rentan terhadap tegangan beban berlebih, membutuhkan pengaturan instalasi yang spesifik.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>Kesimpulan Perbedaan BJT dan MOSFET<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<ol>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT adalah bipolar junction transistor, sedangkan MOSFET adalah Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT memiliki tiga elemen: emitor, kolektor, dan basis, sedangkan MOSFET memiliki tiga elemen: gate, source, dan drain.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">BJT digunakan dalam aplikasi arus lemah, sedangkan MOSFET digunakan dalam aplikasi daya tinggi.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">MOSFET sekarang dipercaya lebih luas digunakan daripada BJT dalam rangkaian digital dan analog.<\/span><\/li>\n<li style=\"font-weight: 400; text-align: justify;\" aria-level=\"1\"><span style=\"font-weight: 400;\">Tegangan pada oxide insulated gate electrode menentukan operasi sebuah MOSFET, dimana arus pada basis menentukan operasi sebuah BJT.<\/span><\/li>\n<\/ol>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Pada banyak kasus, MOSFET lebih efisien dalam <a href=\"https:\/\/id.wikipedia.org\/wiki\/Pencatu_daya\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener noreferrer\">catu daya<\/a>. Menggunakan BJT dalam perangkat yang ditenagai baterai dengan beban variabel dan catu daya terbatas, contohnya, dapat menjadi pilihan yang buruk.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jika sebuah BJT digunakan untuk menyalakan apapun dengan arus yang sudah diketahui (seperti <a href=\"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/led-berkedip-sederhana-lakukan-dengan-4-cara-keren-ini\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">LED<\/a>), hal ini adalah hal bagus karena arus basis-emitor dapat diatur menjadi sebagian arus LED untuk meningkatkan efisiensi.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Jadi, hal ini semua tentang perbedaan BJT dan MOSFET, termasuk apa itu mereka, bagaimana mereka berfungsi, jenis MOSFET, dan apa yang membedakan mereka.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Kami harap kalian memperoleh pemahaman yang lebih baik untuk hal ini setelah membaca seluruhnya.<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: justify;\"><span style=\"font-weight: 400;\">Lebih jauh, jika kalian memiliki pertanyaan apapun atau ingin lebih jauh memahami topik ini, tinggalkan di kolom komentar.<\/span><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"","protected":false},"author":1,"featured_media":1475,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[50],"tags":[],"class_list":["post-1466","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-elemen-aktif-pasif","resize-featured-image"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1466","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1466"}],"version-history":[{"count":5,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1466\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1982,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1466\/revisions\/1982"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1475"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1466"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=1466"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/wiraelectrical.com\/id\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=1466"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}